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射频晶体管
BFS 483 H6327参考图片

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BFS 483 H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1132
41.132
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥2.1244
6373.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFS483
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
65 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
65 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFS483H6327XT BFS483H6327XTSA1 SP000750464
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,BFS 483 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
1:¥1.8419
10:¥1.1978
100:¥0.54579
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:28896
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:35443
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
1:¥7.684
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
参考库存:18518
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:2210
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V
1:¥2,312.4207
5:¥2,276.8483
10:¥2,242.9596
25:¥2,194.5504
50:¥2,160.8199
参考库存:35452
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