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射频晶体管
MRF1535NT1参考图片

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MRF1535NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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数量单价合计
1
¥210.3156
210.3156
5
¥201.0157
1005.0785
10
¥194.021
1940.21
25
¥169.274
4231.85
500
¥145.996
72998
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
6 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
增益
13.5 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-Wrap-6
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.74 mm
长度
23.67 mm
工作频率
520 MHz
系列
MRF1535N
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.4 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
135 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
零件号别名
935317208528
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,MRF1535NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:39050
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥445.1296
参考库存:39055
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
1:¥24.2837
10:¥22.2836
25:¥20.2835
100:¥18.2156
1,000:¥13.673
参考库存:68640
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥748.7267
10:¥701.9334
25:¥685.4919
50:¥669.1182
参考库存:6142
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.7686
10:¥3.1866
100:¥1.7854
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:24174
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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