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射频晶体管
BFR 182W H6327参考图片

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BFR 182W H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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4.7686
10
¥3.1866
31.866
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR182
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
8 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR182WH6327XT BFR182WH6327XTSA1 SP000750420
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 182W H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2955
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm
暂无价格
参考库存:38289
3135GN-100M
Microchip / Microsemi
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5:¥3,262.4004
参考库存:38294
AGR19125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 24Watt Gain 15dB
10:¥887.502
30:¥786.0732
50:¥710.0016
100:¥684.6444
参考库存:38299
SD2933W
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
1:¥955.2794
5:¥936.5214
10:¥892.8808
25:¥874.1341
参考库存:4929
JAN2N2857UB/TR
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥453.8984
200:¥428.5412
参考库存:38306

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