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射频晶体管
JANTXV2N2857UB/TR参考图片

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JANTXV2N2857UB/TR

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100
¥578.6843
57868.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UB-3
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流
40 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JANTXV2N2857UB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 1W-28V-2GHz SE
100:¥280.692
260:¥279.5394
参考库存:35601
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
50:¥1,002.988
参考库存:35606
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,243.263
参考库存:35611
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-175HMz SE
1:¥499.3809
10:¥439.1406
25:¥390.3472
50:¥350.1644
参考库存:35616
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:2306
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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