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射频晶体管

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MHT2025GNR1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2025GN/FM17F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
500
¥211.9993
105999.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术
Si
输出功率
2.5 W
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2690 MHz
系列
MHT2025
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
零件号别名
935341633528
单位重量
598.100 mg
商品其它信息
优势价格，MHT2025GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD57006TR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:37925
MMRF2010NR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
500:¥109.6552
参考库存:6700

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