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射频晶体管
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SD1490

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库存:1,671(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,387.9564
1387.9564
10
¥1,273.623
12736.23
25
¥1,142.995
28574.875
50
¥1,012.367
50618.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
8 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M173
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
155 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,SD1490的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:40171
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V
250:¥1,475.6331
参考库存:40176
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
1:¥586.8994
5:¥569.7686
10:¥557.5533
25:¥534.1962
100:¥495.0078
参考库存:7291
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V
1:¥307.0549
5:¥291.5287
10:¥286.455
25:¥259.7192
250:¥229.9098
参考库存:40183
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
100:¥56.3192
300:¥52.6354
500:¥49.1776
1,000:¥45.9458
参考库存:7298
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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