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射频晶体管
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BFU520R

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02152
3064.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10.5 GHz
最大直流电集电极电流
50 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067702215
单位重量
9 mg
商品其它信息
优势价格，BFU520R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD2796
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
250:¥648.6878
参考库存:34742
MRF154
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1:¥3,513.3508
参考库存:1407
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射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:2544
EVB2458
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射频晶体管
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暂无价格
参考库存:34751
TGF2160
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
100:¥132.7072
300:¥124.0175
500:¥115.9493
参考库存:34756

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