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射频晶体管

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	20 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.5 GHz to 2.7 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130963

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
D2017UK	Semelab / TT Electronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-1GHz SE	50:¥279.3925 100:¥270.1717 250:¥265.5613	参考库存:34877
SKY65366-11-EVB	Skyworks Solutions, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频开发工具 Evaluation Board	暂无价格	参考库存:34882
BFU730F,115	NXP Semiconductors	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS	1:¥3.4578 10:¥2.825 100:¥1.7176 1,000:¥1.3334 3,000:¥1.1413	参考库存:12982
TGF2040	Qorvo	射频晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm	100:¥50.9404 300:¥47.5617 500:¥44.4881 1,000:¥41.5727	参考库存:2999
AGR09180EF	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 38Watt Gain 18.25dB	10:¥874.055 30:¥774.163 50:¥699.244 100:¥674.271	参考库存:34891