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射频晶体管
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MRF8S7170NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
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数量单价合计
1
¥643.3768
643.3768
5
¥630.9355
3154.6775
10
¥610.1096
6101.096
25
¥584.2891
14607.2275
250
¥523.8906
130972.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
19.4 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
728 MHz to 768 MHz
系列
MRF8S7120N
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935317133528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
优势价格，MRF8S7170NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BLV33
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥898.1014
10:¥824.109
25:¥739.585
50:¥655.061
参考库存:35476
MRF1K50GNR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
1:¥1,334.9368
5:¥1,306.7433
10:¥1,278.5385
25:¥1,246.2657
50:¥1,213.9138
参考库存:2311
D1006UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 120W-28V-175HMz SE
50:¥851.6132
100:¥828.1092
参考库存:35483
PTRA093302FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
250:¥768.40
参考库存:35488
CGH27060F
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:2353

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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