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射频晶体管
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TGF2160

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE
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100
¥132.7072
13270.72
300
¥124.0175
37205.25
500
¥115.9493
57974.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
10.4 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
517 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
619 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
32.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098617
商品其它信息
优势价格，TGF2160的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1214-30
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥2,215.4554
2:¥2,162.1194
5:¥2,139.1465
10:¥2,108.4105
参考库存:3387
PTFB193404F-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,281.0019
参考库存:36734
PH2729-130M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥3,172.7236
参考库存:3399
1214-220M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,756.0926
参考库存:36741
CGH40180PP
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥3,146.7562
参考库存:3631

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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