您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
1214-30参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

1214-30

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:3,387(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,215.4554
2215.4554
2
¥2,162.1194
4324.2388
5
¥2,139.1465
10695.7325
10
¥2,108.4105
21084.105
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
4 A
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
55AW-1
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
输出功率
30 W
商标
Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
88 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,1214-30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥873.7499
参考库存:36841
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:4261
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥2,899.7834
参考库存:3858
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
100:¥44.7932
300:¥41.8778
500:¥39.1093
1,000:¥36.5781
2,500:¥36.4199
参考库存:4460
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
1:¥756.874
参考库存:36852
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们