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射频晶体管
STAC150V2-350E参考图片

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STAC150V2-350E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 uA
Vds-漏源极击穿电压
700 V
增益
17 dB
输出功率
500 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
40.68 MHz
系列
STAC150V2-350E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格，STAC150V2-350E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6V3090NR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4
1:¥488.2391
5:¥474.0237
10:¥463.8085
25:¥444.3612
500:¥382.1999
参考库存:38787
MRF448
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1:¥865.8286
10:¥836.9458
25:¥808.1308
50:¥779.2367
100:¥747.7323
参考库存:38792
D2211UK
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BFU520XRVL
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10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:38802
AFT09H310-03SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
150:¥1,030.3453
参考库存:38807

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    50万现货SKU

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