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射频晶体管
BFR 93AW H6327参考图片

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BFR 93AW H6327

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR93
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
90 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
90 mA
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR93AWH6327XT BFR93AWH6327XTSA1 SP000734402
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格，BFR 93AW H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP520H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:29613
2731-20
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
20:¥1,788.1459
25:¥1,763.6362
50:¥1,642.7601
参考库存:36410
D2210UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-12.5V-500MHz SE
50:¥568.1527
100:¥563.4632
参考库存:36415
SS9018GBU
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.6159
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:132985
UF2820P
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥594.9676
5:¥547.9483
参考库存:36422
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