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射频晶体管
STAC2933参考图片

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STAC2933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
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数量单价合计
1
¥799.136
799.136
5
¥784.3782
3921.891
10
¥749.1109
7491.109
25
¥724.1379
18103.4475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
23.5 dB
输出功率
400 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single Common Source
工作频率
30 MHz to 175 MHz
系列
STAC2933
商标
STMicroelectronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,STAC2933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.9154
10:¥1.921
100:¥0.82264
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:48336
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
1:¥1,690.48
25:¥1,525.6582
参考库存:1268
射频晶体管
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1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:16085
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥427.0044
参考库存:34477
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥167.6694
10:¥162.9008
100:¥149.9962
250:¥143.4648
参考库存:2567
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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