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射频晶体管
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BLX98

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数量单价合计
1
¥668.508
668.508
10
¥557.09
5570.9
25
¥501.381
12534.525
50
¥445.672
22283.6
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
2 A
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装
Tray
工作频率
40 MHz to 860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
5.3 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLX98的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-500MHz SE
50:¥390.1212
100:¥379.3636
参考库存:37384
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,574.5307
2:¥1,536.6418
5:¥1,514.1322
10:¥1,492.6961
参考库存:4039
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥572.1529
参考库存:4136
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:37393
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:48508
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