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射频晶体管
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MRF151

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
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1
¥415.3993
415.3993
10
¥390.9574
3909.574
25
¥378.7421
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50
¥366.5268
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
175 MHz
商标
MACOM
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 193L3 E6327
Infineon Technologies
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1:¥3.4578
10:¥2.6329
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Microchip / Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥5,122.4595
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BFP 640FESD H6327
Infineon Technologies
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1:¥4.3053
10:¥3.5369
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:24577
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