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射频晶体管
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BLV10

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库存：36,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥484.092
484.092
10
¥403.41
4034.1
25
¥363.069
9076.725
50
¥322.728
16136.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
增益带宽产品fT
950 MHz
最大直流电集电极电流
4 A
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，BLV10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFB213004F-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,097.7385
参考库存:37876
AFT21S140W02GSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:37881
MMRF1018NBR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018NB/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥388.2002
参考库存:37886
MAPRST1030-1KS
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB
20:¥3,610.9376
参考库存:37891
PD55035STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥181.8057
参考库存:37896

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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