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射频晶体管

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BLF278

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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1236.9658
10
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11910.2
25
¥1,134.5426
28363.565
50
¥1,121.864
56093.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装
Tray
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
参考库存:123337
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
暂无价格
参考库存:39774
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
250:¥747.495
参考库存:39779
射频晶体管
射频开发工具 Fully Assembled Evaluation Board
暂无价格
参考库存:39784
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
150:¥1,030.3453
参考库存:39789
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