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射频晶体管
2SK3475TE12LF参考图片

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2SK3475TE12LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,000
¥8.1473
8147.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
14.9 dB
输出功率
630 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3475
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
商品其它信息
优势价格，2SK3475TE12LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2952
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-14GHz 5W 32V GaN P3dB @ 3GHz 38.6dBm
50:¥232.667
100:¥201.2417
250:¥189.1846
500:¥177.8055
参考库存:38923
D1005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
1:¥751.9585
10:¥661.2082
25:¥587.7469
50:¥527.2015
参考库存:38928
PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:38933
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
1:¥3.5369
10:¥2.3165
100:¥1.2882
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:9613
PTFB090901EA-V2-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥329.3385
参考库存:38940

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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