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晶体管
BC858W,115参考图片

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BC858W,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
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数量单价合计
1
¥0.92208
0.92208
10
¥0.89157
8.9157
100
¥0.31527
31.527
1,000
¥0.2147
214.7
3,000
¥0.16159
484.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
125 at 2 mA, 5 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Nexperia
直流集电极/Base Gain hfe Min
125
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC858W T/R
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格，BC858W,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:8049
VRF141G
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥901.6383
2:¥873.6708
5:¥873.4448
10:¥845.24
参考库存:3101
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.0681
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
参考库存:10553
IPAN65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.9382
100:¥5.3336
500:¥4.7121
1,000:¥3.7177
参考库存:8055
BC847BPN,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-11
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
2,500:¥0.3616
10,000:¥0.30736
参考库存:90057

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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