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晶体管
SIHG32N50D-E3参考图片

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SIHG32N50D-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥40.7252
40.7252
10
¥33.7305
337.305
100
¥27.7415
2774.15
250
¥26.894
6723.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
390 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
D
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
75 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
SIHG32N50D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG32N50D-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥1.3786
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1:¥4.8364
10:¥4.0454
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1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
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1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
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10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
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1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7912
500:¥4.2375
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:11129
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    50万现货SKU

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