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晶体管
STD6N60DM2参考图片

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STD6N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0625
70.625
100
¥5.424
542.4
500
¥4.7912
2395.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STD6N60DM2
晶体管类型
1 N Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
19.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
商品其它信息
优势价格,STD6N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
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1:¥6.3054
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5877
2,500:¥2.1809
参考库存:28279
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE
1:¥47.6408
10:¥40.4992
100:¥35.1204
250:¥33.2672
参考库存:20771
晶体管
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1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
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晶体管
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1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:20788
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    50万现货SKU

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