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晶体管
STGE200NB60S参考图片

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STGE200NB60S

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 N-Ch 600 Volt 150Amp
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库存:4,050(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥214.7678
214.7678
5
¥212.5417
1062.7085
10
¥198.089
1980.89
25
¥189.2524
4731.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.1 mm
长度
38.2 mm
系列
STGE200NB60S
宽度
25.5 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
100
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
28 g
商品其它信息
优势价格,STGE200NB60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SM SIG MOS FET FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.0736
10:¥2.2261
100:¥1.3334
500:¥0.77631
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:67165
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥15.6731
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
参考库存:3662
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:76849
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL PNP 50V 70MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:43956
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥6.5314
10:¥5.424
100:¥3.4917
1,000:¥2.8024
参考库存:7363
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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