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产品分类

晶体管
MRF6V3090NBR1参考图片

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MRF6V3090NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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库存:40,481(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥382.1999
191099.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
115 V
增益
22 dB
输出功率
18 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.47 GHz to 0.86 GHz
系列
MRF6V3090N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935310252528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V3090NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:332097
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -150mA -50V
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:查看
3,000:¥0.44522
参考库存:2804
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.3843
参考库存:7321
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.7632
10:¥8.0682
100:¥6.1924
500:¥5.3223
1,000:¥4.2036
3,000:¥4.2036
参考库存:92363
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:267645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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