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晶体管
BD14010STU参考图片

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BD14010STU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.938
29.38
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
2,500
¥1.1865
2966.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD140
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD14010STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD14010STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥29.1201
10:¥24.747
100:¥21.4361
250:¥20.3626
500:¥18.2156
800:¥18.2156
参考库存:3431
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
参考库存:59453
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.6105
10:¥5.6952
100:¥4.3731
500:¥3.8646
5,000:¥2.7007
10,000:查看
参考库存:26750
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
参考库存:23642
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:8009
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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