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晶体管
BSC034N03LSGATMA1参考图片

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BSC034N03LSGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存：26,750(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6952
56.952
100
¥4.3731
437.31
500
¥3.8646
1932.3
5,000
¥2.7007
13503.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
6.9 ns
零件号别名
BSC034N03LS BSC34N3LSGXT G SP000475948
单位重量
119.200 mg
商品其它信息
优势价格，BSC034N03LSGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBT2907A-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 300mW
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:543873
STGW60H65DRF
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
1:¥68.6927
10:¥62.0822
25:¥59.1668
100:¥51.4037
参考库存:5565
FDS2572
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5032
500:¥6.6331
1,000:¥5.2319
2,500:¥4.9946
参考库存:31707
MJL4281AG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:7144
2N4401
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.8306
1,000:¥1.3673
2,500:¥1.1639
参考库存:60781

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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