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晶体管
STB120N4F6参考图片

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STB120N4F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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库存:8,009(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
1,000
¥11.30
11300
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB120N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB120N4F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,647.1445
5:¥1,607.4928
10:¥1,567.6151
25:¥1,545.6366
参考库存:3947
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.8366
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
800:¥4.0115
参考库存:27869
晶体管
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:32021
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:48873
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 1400A 1700V
1:¥6,098.4066
5:¥6,000.8989
参考库存:3895
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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