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晶体管
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2N6109

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2546
3627.3
1,000
¥6.0116
6011.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
3.5 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6109
高度
9.02 mm
长度
10.6 mm
封装
Bulk
宽度
4.82 mm
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.45 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
40 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
400
子类别
Transistors
零件号别名
2N6109 PBFREE
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,2N6109的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
1:¥13.0628
10:¥11.6051
100:¥9.1417
500:¥7.0964
2,500:¥5.0737
5,000:查看
参考库存:3475
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:6817
晶体管
MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:17644
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥279.2343
5:¥268.3298
10:¥258.1824
25:¥237.2774
参考库存:3446
晶体管
MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
1:¥41.9569
10:¥40.2619
25:¥36.8832
50:¥35.1882
参考库存:3403
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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