您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FDD8647L参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FDD8647L

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:28,479(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.831
9.831
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.4636
646.36
500
¥5.7065
2853.25
2,500
¥4.0002
10000.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD8647L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
470 mg
商品其它信息
优势价格,FDD8647L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:41996
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥195.3996
250:¥179.3423
500:¥170.6639
参考库存:42001
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥197.7048
200:¥181.4215
500:¥172.664
参考库存:42006
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,354.9943
参考库存:42011
晶体管
MOSFET N-ch 30V 40A DP
暂无价格
参考库存:42016
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们