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晶体管
SIHF12N60E-GE3参考图片

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SIHF12N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:6,353(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.6734
21.6734
10
¥17.9783
179.783
100
¥13.9894
1398.94
500
¥12.2153
6107.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
33 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF12N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥21.7412
10:¥18.0574
100:¥13.9894
500:¥12.2944
1,000:¥11.9102
3,000:¥11.6842
参考库存:41665
晶体管
MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
1:¥11.4469
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8365
1,000:¥5.65
2,000:¥5.65
参考库存:47297
晶体管
MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN
1:¥272.2396
10:¥257.1089
25:¥241.9669
200:¥241.9669
参考库存:2659
晶体管
MOSFET PMDXB600UNEL/DFN1010B-6/REEL 7
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
5,000:¥0.77631
参考库存:23111
晶体管
MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.1362
4,800:¥8.9948
9,600:查看
参考库存:39748
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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