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产品分类

晶体管
FDP083N15A-F102参考图片

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FDP083N15A-F102

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库存:32,874(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.7415
27.7415
10
¥23.5153
235.153
100
¥20.4417
2044.17
250
¥19.3682
4842.05
500
¥17.3681
8684.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
6.85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64.5 nC
Pd-功率耗散
231 W
配置
Single
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP083N15A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
139 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
58 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDP083N15A_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP083N15A-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench
1,000:¥4.2827
3,000:¥3.8081
10,000:¥3.6612
25,000:¥3.5482
参考库存:48037
晶体管
MOSFET
1,000:¥8.2942
2,000:¥7.7631
5,000:¥7.5032
10,000:¥7.2094
参考库存:48042
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
参考库存:48047
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1.0A 1.3W
2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:48052
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 12V
6,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.83733
参考库存:48057
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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