NSBC123EDXV6T1G详细参数_参考价格_NSBC123EDXV6T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	8
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC123EDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	8
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SH8K32TB1	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch+Nch 60V 4.5A MOSFET	1:¥10.9836 10:¥9.379 100:¥7.1755 500:¥6.3393 2,500:¥6.3393	参考库存:21322
DMP32D4S-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V P-CH ENHANCEMENT 2.4mOhm -10V -300mA	1:¥2.8476 10:¥2.0227 100:¥0.92999 1,000:¥0.71416 3,000:¥0.60681	参考库存:4389
TIP31-BP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3.0A 40V	1:¥4.9946 10:¥3.8646 100:¥3.3787 250:¥2.938	参考库存:8886
IRG4PH50UPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT	1:¥46.33 10:¥41.8778 25:¥39.9568 100:¥34.6571	参考库存:23073
SI7898DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥15.2098 10:¥12.5995 100:¥9.7632 500:¥8.5315 3,000:¥8.5315	参考库存:49655