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晶体管
IPD050N03L G参考图片

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IPD050N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥6.0907
60.907
100
¥4.6782
467.82
500
¥4.1358
2067.9
2,500
¥2.8928
7232
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
IPD050N03LGATMA1 IPD5N3LGXT SP000680630
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD050N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4931DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
1:¥11.0627
10:¥9.0626
2,500:¥9.0626
参考库存:41394
FCH104N60F-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
1:¥45.878
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:6596
SI7904BDN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
3,000:¥4.294
参考库存:10958
SIHP33N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥55.8672
10:¥50.4093
50:¥44.4881
100:¥41.7987
参考库存:4995
IRGP4066DPBF
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:3167

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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