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晶体管
RHU003N03FRAT106参考图片

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RHU003N03FRAT106

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 30V Vds 0.3A 1.4Rds(on) SOT-323
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7967
17.967
100
¥0.75258
75.258
1,000
¥0.51528
515.28
3,000
¥0.40002
1200.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UMT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
RHU003N03FRA
商品其它信息
优势价格,RHU003N03FRAT106的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
1:¥50.4093
10:¥42.8044
100:¥37.1092
250:¥35.1882
参考库存:14446
晶体管
MOSFET Nch 45V 7A MOSFET
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:14828
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Plastic-Encapsulate
1:¥3.4578
10:¥2.5538
100:¥1.9097
500:¥1.6159
1,000:¥1.243
参考库存:15335
晶体管
MOSFET 20V 1.2A
1:¥2.7685
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
参考库存:3722
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,000:¥0.95259
参考库存:10384
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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