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晶体管
SI7898DP-T1-GE3参考图片

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SI7898DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:49,655(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.2098
15.2098
10
¥12.5995
125.995
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
3,000
¥8.5315
25594.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
4.8 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SI7898DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SI7898DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥165.9744
5:¥158.5164
10:¥153.6009
25:¥141.1596
参考库存:34385
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥638.5404
5:¥619.1722
10:¥599.8153
25:¥572.7631
参考库存:34390
晶体管
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.1mOhms 35nC
1:¥19.8993
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.9102
4,800:¥8.8366
9,600:查看
参考库存:34395
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:34400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.46895
9,000:¥0.41471
24,000:¥0.39211
参考库存:34405
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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