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晶体管
NSS12100XV6T1G参考图片

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NSS12100XV6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR
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1
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3.0736
10
¥2.5764
25.764
100
¥1.5707
157.07
1,000
¥1.2091
1209.1
4,000
¥1.03734
4149.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 12 V
集电极—基极电压 VCBO
- 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 400 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS12100XV6
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NSS12100XV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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