ZTX605详细参数_参考价格_ZTX605 PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	达林顿晶体管
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO	120 V
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
集电极—基极电压 VCBO	140 V
最大直流电集电极电流	1 A
最大集电极截止电流	0.01 uA
Pd-功率耗散	1 W
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	ZTX605
封装	Bulk
直流电流增益 hFE 最大值	2000
高度	4.01 mm
长度	4.77 mm
宽度	2.41 mm
商标	Diodes Incorporated
集电极连续电流	1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	2000 at 50 mA at 5 V, 5000 at 500 mA at 5 V, 2000 at 1 A at 5 V, 500 at 2 A at 5 V
产品类型	Darlington Transistors
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	453.600 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N706	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor	1:¥653.2982 2:¥633.0034 5:¥632.8565 10:¥612.4148	参考库存:40306
SMBT3906E6327HTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A	1:¥1.5368 10:¥1.4238 100:¥0.49946 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.25312	参考库存:40311
DTC124GKAT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:40316
SI2302A-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package	1:¥5.0737 10:¥3.9437 100:¥2.712 1,000:¥1.4012 30,000:¥1.09836 48,000:查看	参考库存:40321
DTA123JUBTL	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL TRANSISTOR -100MA-50V	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:40326