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晶体管
STW56N65DM2参考图片

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STW56N65DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:46,735(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥76.84
76.84
10
¥69.4611
694.611
25
¥66.2406
1656.015
100
¥57.4718
5747.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
48 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW56N65DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
7.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
31 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
157 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW56N65DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:4255
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN+NPN SOT-563 50V VCC 0.1A IC
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
2,500:¥0.40002
8,000:¥0.34578
参考库存:120752
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9892
1,500:¥7.6727
4,500:查看
参考库存:13789
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
2,500:¥3.1753
10,000:查看
参考库存:27622
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥39.7986
10:¥33.8887
100:¥29.3574
250:¥27.8206
500:¥24.973
参考库存:9876
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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