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晶体管
IKW50N60DTPXKSA1参考图片

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IKW50N60DTPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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库存：9,876(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.7986
39.7986
10
¥33.8887
338.887
100
¥29.3574
2935.74
250
¥27.8206
6955.15
500
¥24.973
12486.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
319.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60DTP SP001379678
单位重量
6.065 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N60DTPXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBT6521LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 40V NPN
1:¥2.9945
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.47686
参考库存:47282
FQT7N10TF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.1471
10:¥3.39
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
4,000:¥1.3673
参考库存:18694
BD238STU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.3844
10:¥3.6273
100:¥2.3391
1,000:¥1.8645
参考库存:10451
MUN5233T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:175963
BC556BTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -65V 100mA HFE/450
1:¥1.695
10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,000:¥0.24634
参考库存:51330

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    50万现货SKU

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