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晶体管
STGF19NC60KD参考图片

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STGF19NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
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数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
32 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF19NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Amplification Trans
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:17044
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:22454
晶体管
MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
3,000:¥3.0623
参考库存:22459
晶体管
MOSFET MOSFET, 600V
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:22464
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.5044
4,000:¥21.7412
参考库存:22469
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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