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晶体管
BCY58-X参考图片

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BCY58-X

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W
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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
60 At 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
340 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BCY58-X PBFREE
商品其它信息
优势价格,BCY58-X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V 40A FS2 Trench IGBT
1:¥49.7878
10:¥42.3411
100:¥36.6572
250:¥34.804
参考库存:4762
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1:¥31.6626
10:¥26.894
100:¥23.3571
250:¥22.1254
参考库存:5679
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
1,000:¥19.8993
2,000:查看
参考库存:25071
晶体管
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.1132
100:¥3.051
500:¥2.5086
3,000:¥1.7628
6,000:查看
参考库存:405468
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
1:¥19.6733
10:¥18.0574
25:¥16.3624
100:¥14.7578
参考库存:8170
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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