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产品分类

晶体管

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BCR 523 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0227
20.227
100
¥0.84524
84.524
1,000
¥0.5763
576.3
3,000
¥0.45313
1359.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
1 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
500 mA
峰值直流集电极电流
500 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCR523
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BCR523E6327HTSA1 BCR523E6327XT SP000010851
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BCR 523 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
100:¥609.183
参考库存:46057
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,992.4612
5:¥1,943.2836
10:¥1,896.5694
25:¥1,827.6394
参考库存:46062
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5087
25:¥4.068
100:¥3.6047
3,000:¥1.8645
6,000:查看
参考库存:46067
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
暂无价格
参考库存:46072
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,281.0019
参考库存:46077
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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