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晶体管
STL7N10F7参考图片

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STL7N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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库存:10,474(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.5261
13.5261
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.2208
922.08
500
¥8.0682
4034.1
1,000
¥6.6444
6644.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STL7N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.8 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
商品其它信息
优势价格,STL7N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.2942
10:¥6.7913
100:¥5.2093
500:¥4.4748
1,000:¥3.5369
3,000:¥3.5369
参考库存:10138
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 10A 600V Rugged IGBT
1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.4614
100:¥66.4666
参考库存:1915
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.8365
2,000:¥6.8365
参考库存:78537
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:11869
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.7233
参考库存:32671
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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