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产品分类

晶体管
SQ3461EV-T1_GE3参考图片

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SQ3461EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:19,106(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.1132
41.132
100
¥3.1188
311.88
500
¥2.5764
1288.2
3,000
¥1.8645
5593.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
71 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,SQ3461EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp
1:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.3789
500:¥6.5201
参考库存:41133
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥136.617
10:¥124.1757
25:¥114.7967
50:¥108.6495
参考库存:9716
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 450A
1:¥2,889.7942
5:¥2,715.6047
参考库存:9458
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:41142
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMT NPN
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:41147
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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