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晶体管
SIRA96DP-T1-GE3参考图片

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SIRA96DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.1075
31.075
100
¥2.3165
231.65
500
¥1.8984
949.2
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIRA96DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR
10,000:¥0.29945
20,000:¥0.27685
50,000:¥0.26103
100,000:¥0.23052
参考库存:40053
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24,000:¥0.56048
参考库存:571361
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
270:¥31.3462
510:¥25.3572
1,020:¥23.6622
2,520:¥22.5096
参考库存:40060
晶体管
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3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:406368
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥1.05316
参考库存:40067
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    50万现货SKU

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