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晶体管
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FGH60N60SMD

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库存:16,153(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.4881
44.4881
10
¥37.8098
378.098
100
¥32.7361
3273.61
250
¥31.1202
7780.05
500
¥27.8884
13944.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
600 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH60N60SMD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH60N60SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel 50mA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:7483
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:29318
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A
1:¥512.8279
5:¥503.3811
10:¥490.3183
25:¥480.7133
参考库存:6870
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:13377
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013H/CFM4F///REEL 13
1:¥2,852.911
5:¥2,809.0444
10:¥2,767.2344
25:¥2,707.4574
参考库存:29327
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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