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晶体管
STGD25N40LZAG参考图片

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STGD25N40LZAG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:13,303(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.25 V
栅极/发射极最大电压
16 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD25N40LZAG
资格
AEC-Q101
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGD25N40LZAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -20V, -1A
1:¥3.1527
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:34245
晶体管
MOSFET 75V 120A 5.8 mOhm Automotive MOSFET
1:¥25.199
10:¥21.4361
100:¥18.5998
250:¥17.5941
800:¥13.3679
2,400:查看
参考库存:34250
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
1:¥3.9211
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:34255
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥1.8758
参考库存:34260
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥15.9104
250:¥15.0629
500:¥13.5261
800:¥13.5261
参考库存:34265
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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