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晶体管

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STBV32-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0905
20.905
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
系列
STBV32
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极连续电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92AP
直流电流增益 hFE 最大值
20
高度
4.5 mm
长度
4.8 mm
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
3.8 mm
商标
STMicroelectronics
最大直流电集电极电流
1.5 A
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,STBV32-AP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:751503
晶体管
MOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.4975
2,500:¥4.5539
10,000:查看
参考库存:13850
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥10.2943
10:¥8.8366
100:¥6.7348
500:¥5.9551
800:¥4.7008
参考库存:20667
晶体管
MOSFET 240V 6Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.5994
25:¥8.9157
100:¥8.1473
参考库存:14174
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Medium Power
1:¥2.9154
10:¥2.034
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
2,000:¥0.61472
参考库存:103621
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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