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晶体管
CEDM8004VL TR参考图片

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CEDM8004VL TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30V 8.0VGS 450mA
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.2487
22.487
100
¥1.2882
128.82
1,000
¥0.94468
944.68
2,500
¥0.81473
2036.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-883VL
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
450 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
880 pC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.32 mm
长度
1.05 mm
产品
MOSFET
系列
CEDM80
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.65 mm
商标
Central Semiconductor
正向跨导 - 最小值
200 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
零件号别名
CEDM8004VL PBFREE TR
商品其它信息
优势价格,CEDM8004VL TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥551.4852
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2,500:¥5.6613
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1:¥34.0356
10:¥28.8941
100:¥25.0521
250:¥23.7413
参考库存:9450
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JFET JFET
100:¥202.2474
250:¥185.8737
500:¥171.195
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晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥33.7305
10:¥28.6568
100:¥24.8148
250:¥23.5944
1,000:¥17.8314
2,000:查看
参考库存:9457
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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