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晶体管
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FQPF10N20C

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10
¥7.6049
76.049
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2093
2604.65
1,000
¥4.1132
4113.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.07 mm
长度
10.36 mm
系列
FQPF10N20C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
92 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
FQPF10N20C_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格，FQPF10N20C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9C2R2-60EJ
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20:¥327.8017
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60:¥314.0496
100:¥284.6131
参考库存:46340
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1,000:¥7.6162
2,000:¥7.0964
5,000:¥6.8252
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5,000:¥4.7799
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参考库存:46350

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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